Birinchidan, issiq nuqta effekti
Seriyali filialdagi soyali quyosh xujayrasi moduli boshqa yoritilgan quyosh xujayrasi modullari tomonidan ishlab chiqarilgan energiyani iste'mol qilish uchun yuk sifatida ishlatiladi va soyali quyosh batareyasi moduli bu vaqtda qiziydi, bu issiq nuqta effektidir. Bu ta'sir quyosh hujayralariga jiddiy zarar etkazishi mumkin. Yoritilgan quyosh xujayrasi tomonidan ishlab chiqarilgan energiyaning bir qismi soyali hujayra tomonidan iste'mol qilinishi mumkin. Issiq nuqta ta'siri qush axlatining bir bo'lagidan kelib chiqishi mumkin.
Issiq nuqta ta'siridan quyosh batareyasining shikastlanishiga yo'l qo'ymaslik uchun yorug'lik moduli tomonidan ishlab chiqarilgan energiyani iste'mol qilishning oldini olish uchun quyosh batareyasi modulining ijobiy va salbiy qutblari o'rtasida parallel ravishda aylanma diyotni ulash yaxshiroqdir. soyali modul orqali. Issiq nuqta ta'siri kuchli bo'lsa, bypass diodasi parchalanishi mumkin, bu esa komponentning yonib ketishiga olib keladi.
Ikkinchidan, PID effekti
Potentsial induktsiya degradatsiyasi (PID, potentsial degradatsiya) batareya komponentlarining uzoq muddatli yuqori kuchlanish ta'siri bo'lib, shisha va qadoqlash materiallari o'rtasida oqim oqimini keltirib chiqaradi va batareyaning yuzasiga katta miqdorda zaryad tushadi, bu esa batareyaning holatini yomonlashtiradi. batareyaning yuzasiga passivatsiya ta'siri va komponentni keltirib chiqaradi. Ishlash dizayn mezonlaridan past. PID hodisasi jiddiy bo'lsa, u modulning quvvatini 50 foizdan ko'proq pasayishiga olib keladi va shu bilan butun qatorning quvvat chiqishiga ta'sir qiladi. PID hodisasi yuqori harorat, yuqori namlik va sho'rlanish darajasi yuqori bo'lgan qirg'oq hududlarida sodir bo'lishi mumkin.
Komponent PID fenomenining sabablari asosan quyidagi uchta jihatdan iborat:
1. Tizimni loyihalash sabablari: Fotovoltaik elektr stantsiyasining chaqmoqni himoya qilish topraklaması, kvadrat qatorning chetida komponent ramkasini erga ulash orqali amalga oshiriladi, bu esa bitta komponent va ramka o'rtasida egilish kuchlanishining shakllanishiga olib keladi. Komponentning kuchlanish kuchlanishi qanchalik baland bo'lsa, PID fenomeni paydo bo'ladi. jiddiyroq. P-tipli kristalli silikon modullar uchun transformator bilan inverterning salbiy qutbini erga ulash modul ramkasining hujayraga nisbatan oldinga siljishini yo'q qilish orqali PID hodisasining paydo bo'lishini samarali ravishda oldini oladi, lekin inverterning salbiy qutbini erga ulash. mos keladigan tizim qurilishini oshiradi. xarajat.
2. Fotovoltaik modul sabablari: Yuqori harorat va yuqori namlik tashqi muhit hujayra va zamin ramkasi o'rtasida qochqin oqimining paydo bo'lishiga olib keladi va qadoqlash materiallari, orqa panel, shisha va ramka o'rtasida qochqin oqimi kanali hosil bo'ladi. Izolyatsiya qiluvchi plyonka etilen vinil asetat (EVA) ni o'zgartirish modulning anti-PID ga erishish usullaridan biridir. Turli xil EVA inkapsulyatsiya plyonkalaridan foydalanish sharti bilan modulning PIDga qarshi ishlashi boshqacha bo'ladi. Bundan tashqari, fotovoltaik modullardagi shisha asosan kaltsiy sodali shisha bo'lib, shishaning fotovoltaik modullarning PID fenomeniga ta'siri hali ham noaniq.
3. Batareyaning sababi: batareyaning kvadrat qarshiligining bir xilligi, aks ettirishga qarshi qatlamning qalinligi va sinishi indeksi PID ishlashiga turli xil ta'sir ko'rsatadi.
PID hodisasini keltirib chiqaradigan yuqoridagi uchta jihat orasida, modul ramkasi va fotovoltaik tizim ichidagi modul o'rtasidagi potentsial farqdan kelib chiqadigan PID moduli fenomeni sanoat tomonidan tan olingan, ammo modul ishlab chiqaruvchi PID fenomenining mexanizmi ikki jihatda. modul va hujayra hali ham noaniq. Shubhasiz, komponentlarning PIDga qarshi ishlashini yanada yaxshilash bo'yicha tegishli choralar hali ham noaniq.
Uchinchidan, hujayra yorilishi
Yoriqlar hujayraning nuqsonlari. Kristal strukturaning o'ziga xos xususiyatlaridan kelib chiqqan holda, kristalli silikon xujayralari yorilishga juda moyil. Kristalli kremniy modullarini ishlab chiqarish jarayoni uzoq va ko'plab aloqalar hujayra yoriqlariga olib kelishi mumkin (Xi'an Jiaotong universitetidan janob Yang Xongning ma'lumotlariga ko'ra, faqat hujayra ishlab chiqarish bosqichida 200 ga yaqin sabablar mavjud). Yoriqlarning asosiy sababini kremniy gofretdagi mexanik stress yoki termal stress sifatida umumlashtirish mumkin.
So'nggi yillarda kristalli silikon modul ishlab chiqaruvchilarning narxini pasaytirish uchun kristalli silikon xujayralari nozik va nozik yo'nalishda rivojlanmoqda, bu esa hujayralarning mexanik shikastlanishning oldini olish qobiliyatini pasaytiradi. 2011 yilda Germaniya ISFH tadqiqot natijalarini e'lon qildi: hujayra yorig'i shakliga ko'ra, uni 5 toifaga bo'lish mumkin: daraxt yoriqlari, keng qamrovli yoriqlar, qiya yoriqlar, shinaga parallel, panjaraga perpendikulyar va bo'ylab o'tadigan yoriqlar. hujayradagi to'liq yoriqlar.
Turli xil yoriqlar hujayraning funktsiyasiga turli xil ta'sir ko'rsatadi. Hujayra funktsiyasiga eng katta ta'sir - busbarga parallel ravishda yoriq. Tadqiqot natijalariga ko'ra, muvaffaqiyatsiz chiplarning 50 foizi shina liniyalariga parallel ravishda yoriqlardan kelib chiqadi. 45 graduslik eğimli yoriqning samaradorlik yo'qolishi shinaga parallel ravishda yo'qotishning 1/4 qismini tashkil qiladi. Shinalarga perpendikulyar yoriqlar nozik panjara chiziqlariga deyarli ta'sir qilmaydi, shuning uchun hujayra etishmovchiligi uchun maydon deyarli nolga teng. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, moduldagi bitta hujayraning ishlamay qolishi maydoni 8 foiz ichida bo'lsa, u modulning kuchiga kam ta'sir qiladi va moduldagi diagonal chiziqlarning 2/3 qismi quvvat barqarorligiga ta'sir qilmaydi. modul.
